Material descoberto pode produzir transístores mais rápidos

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Uma equipa internacional de investigadores descobriu um novo material com uma estrutura eletrónica parecida com o grafeno, mas capaz de existir em três dimensões, o que poderá levar à produção de transístores mais rápidos. Este novo material descoberto tem o nome de Three-Dimensional Topological Dirac Semi-metal e é semelhante ao grafeno, sendo magneto-resistente. Contudo, este

Uma equipa internacional de investigadores descobriu um novo material com uma estrutura eletrónica parecida com o grafeno, mas capaz de existir em três dimensões, o que poderá levar à produção de transístores mais rápidos.

transistor-mosfet-igbt-irg4pc40udpbf-cod-1608_MLB-F-188129721_2508Este novo material descoberto tem o nome de Three-Dimensional Topological Dirac Semi-metal e é semelhante ao grafeno, sendo magneto-resistente. Contudo, este tem características tridimensionais e oferece taxas de transferência de eletrões muito mais elevadas. O 3DTDS é uma forma do composto químico bismutato de sódio.

O grupo de investigadores que descobriu este material são cientistas da Universidade de Oxford, da Diamond Light Source, do Rutherford Appleton Laboratory, da Universidade de Stanford e da Advanced Light Source, do Berkeley Lab. A utilização do 3DTDS deverá resultar em discos rígidos mais compactos e com maior capacidade.

Com este novo material, será possível colocar dez terabytes de informação, no mesmo volume necessário hoje para um terabyte de dados. O grafeno é bidimensional, sendo produzido em folhas planas cerca de um milhão de vezes mais fina do que uma folha de papel.

O estudo realizado pela equipa de investigadores confirma a existência do material com outras propriedades do grafeno, sobre a qual vários investigadores teorizaram.

No entanto, ao contrário do grafeno, o 3DTDS permite que os eletrões sejam agrupados e fluam em todas as direções. Os eletrões na superfície do material dá-lhe uma propriedade magneto-resistência, permitindo que os dados sejam armazenados por inversão da polaridade de um bit.


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