Investigadores criam os transístores orgânicos mais velozes

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Investigadores da Universidade de Stanford e da Universidade de Nebraska-Lincoln (UNL) criaram os transístores orgânicos mais rápidos do mundo, através de um novo processo de produção. De acordo com a equipa de investigação, uma série de ajustes na forma de produção permite colocar o seu desempenho, pelo menos, a par dos “parentes” de silício. Os

Investigadores da Universidade de Stanford e da Universidade de Nebraska-Lincoln (UNL) criaram os transístores orgânicos mais rápidos do mundo, através de um novo processo de produção.

TiPs-bilayer-flexible_OFETsDe acordo com a equipa de investigação, uma série de ajustes na forma de produção permite colocar o seu desempenho, pelo menos, a par dos “parentes” de silício. Os investigadores mostraram ser teoricamente possível usar produtos orgânicos para ecrãs de televisão de alta definição.

Em comparação com as tecnologias à base de silício utilizadas em componentes eletrónicos atuais, transístores orgânicos serão mais baratos de produzir, com a vantagem de poderem ser feitos essencialmente transparentes.

Antigamente os transístores orgânicos não conseguiam igualar o desempenho dos elementos de normais, limitando sua capacidade de suplantar as tecnologias atuais no mercado de dispositivos.

Os investigadores de Stanford e da UNL alcançaram um grande avanço nesse aspeto e os seus novos transístores orgânicos são podem-se comparar aos de silício moderno em desempenho e muito acima dos semicondutores orgânicos anteriores.

Os transístores orgânicos são produzidos por gotejamento de uma solução de moléculas ricas em carbono e plástico num suporte a girar rapidamente, espalhando a solução de forma fina e uniforme. Os investigadores ajustaram o processo elevando a velocidade a que o suporte foi centrifugado, o que resultou num alinhamento mais regular das moléculas e numa melhor condutividade.


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